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　　CCZ 技术，光伏单晶硅技术的重大变革。当前广泛使用的单晶硅生长技术为RCZ 技术，最高达到一炉4~5根晶棒拉制，已接近上限。CCZ技术可实现一炉8~10根晶棒拉制，效率进一步提升、成本大幅降低，且拉制晶棒均匀性好、含氧量低、电阻率均衡，产品质量更加优良，是单晶硅生长技术的趋势性变革。

　　CCZ 技术已诞生超过20年。长期以来，两大问题困扰CCZ 技术大规模生产:1)CCZ 技术对于复投料质量要求高，需要使用高品质颗粒料;

　　2)坩埚使用寿命短，限制了CCZ 技术复用次数。目前，FBR（硅烷流化床法)可制备高品质颗粒料，通过特殊设计的高品质坩埚可达到CCZ技术使用寿命要求，这两项问题的突破使得CCZ 技术推广成为可能。

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　　国外CCZ 技术仅有少数企业实现工业生产，协鑫有望成为国内领跑者。目前国外仅有美国的SunEdison、GT-AT 等个别企业实现了CCZ技术的工业生产。用于生产CCZ 技术原料的FBR 颗粒硅也仅少数国外企业实现了量产。保利协鑫能源2017年3月完成收购美国SunEdison的相关资产，从而获得了了CCZ 及FRB 的技术专利。公司4月公告将在云南曲靖建设20GW 单晶硅产能，计划投资90亿元。

　　协鑫是我国多晶硅龙头企业，拥有24GW 多晶硅产能。近年来，随着金刚石切片技术的推广，单晶硅制备成本大幅下降，与多晶硅相比性价比优势显现，单晶硅组件占比大幅上升。在此背景下，协鑫实行“单多晶并行”战略，通过收购SunEdison 资产站在CCZ 技术制高点，有望引领单晶硅生长工艺变革，掀起新一波产能竞赛大潮。 内容来自dedecms

　　硅片厂产能竞赛，设备商将受益订单迎来快速增长期。根据公司公告，截至2018年底，单晶硅领先者隆基将具备28GW 单晶硅产能，且其计划2020年达到45GW;中环将具备23GW 产能。协鑫当前仅具有1GW 产能，但其大举进军意图明显。据我们测算，采用CCZ 技术建设1GW 单晶硅产能，约需硅生长炉100~125台，按照单台设备150万测算，设备总价值约为1.5~1.88亿元。考虑切磨抛等辅助设备，1GW 设备投资超2亿元，设备商将受益扩产订单快速增长。 本文来自织梦